“铁电存储器(FM25V10-G)”参数说明
型号: | FM25V10-G |
“铁电存储器(FM25V10-G)”详细介绍
1Mbit位非易失性铁电存储器
结构容量为128K*8位
读/写次数达到100万亿(1014)次
掉电数据保存10年
写数据无延迟
采用先进的高可靠性铁电制造工艺
高速串行外设接口-SPI
总线频率可达40MHz
硬件上可直接替换串行Flash
SPI模式0&3(CPOL,CPHA=0,0&1,1)
写保护机制
硬件保护
软件保护
器件ID和序列号
器件ID能读出制造商、产品密度和版本信息
唯一的序列号(FM25VN10)
低电压,低功率
工作电压:2.0V~3.6V
待机电流(典型值):90µA
睡眠模式电流(典型值):5µA
工业标准
工业级温度:-40℃~+85℃
8脚环保/RoHS SOIC封装
结构容量为128K*8位
读/写次数达到100万亿(1014)次
掉电数据保存10年
写数据无延迟
采用先进的高可靠性铁电制造工艺
高速串行外设接口-SPI
总线频率可达40MHz
硬件上可直接替换串行Flash
SPI模式0&3(CPOL,CPHA=0,0&1,1)
写保护机制
硬件保护
软件保护
器件ID和序列号
器件ID能读出制造商、产品密度和版本信息
唯一的序列号(FM25VN10)
低电压,低功率
工作电压:2.0V~3.6V
待机电流(典型值):90µA
睡眠模式电流(典型值):5µA
工业标准
工业级温度:-40℃~+85℃
8脚环保/RoHS SOIC封装