通过认证
“华晶MOS管系列 CS2N60原装铜脚TO-251/TO-220封装”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | RoHS |
| 品牌： | 华润华晶 | 类型： | 耗尽型MOS管(N沟道) |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | 型号： | CS2n60A |
| 规格： | 2A/600V | 商标： | CS |
| 包装： | 50PCS/管 |
“华晶MOS管系列 CS2N60原装铜脚TO-251/TO-220封装”详细介绍
产品型号:CS2N60A3H
概述：硅CS2N60A3H，N-沟道的增强VDMOSFETs，是通过以下方式获得的自对准的平面技术
，能够降低导通损耗，提高开关性能和增强的雪崩能量。的晶体管可以使用在各种
电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。封装形式为TO-251，符合RoHS标准。
产品特点： * 开关速度快 * 低导通电阻（导通电阻≤15Ω） * 低栅极电荷（典型数据：5.0nC） * 低反向传输电容（典型：2.7pF） * 100％的单脉冲雪崩能量测试
应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * 符合RoHS标准
封装:TO-251/TO-220F/TO-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):0.8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):30
输入电容Ciss(PF):92 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60
导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.
上升时间Tr(ns):26 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.
下降时间Tf(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
