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“单轴低噪声MEMS加速度传感器 加计 振动传感器PA-LAMI-010”参数说明
| 类型： | 电容式 | 应用： | 低频应用 |
| 输出信号： | 模拟型 | 材料： | MEMS电容 |
| 型号： | PA-LAMI-010 | 商标： | 精准测控 |
| 输出： | 差分±4V | 供电： | 12V |
| 产量： | 500 |
“单轴低噪声MEMS加速度传感器 加计 振动传感器PA-LAMI-010”详细介绍
1.简介 （实物图单轴低噪声）
PA-LAMI系列单轴低噪声加速度传感器由西安精准测控有限责任公司自行研制，差分输出，用于测量单轴向加速度的传感器。它采用高性能低噪声MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测（Self-Test）功能，可实现BIT（Built-In-Test）检测。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
2.原理
PA-LASI系列冲击加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。
3.技术参数
测量范围（g） ±2 ±5 ±10 ±25 ±50 ±100 ±200 ±400
频响（Hz） 400 600 1000 1500 2000 2500 3000 4000
零g偏置电压（V） 0±0.1 ①
灵敏度②（mV／ｇ） 2000 800 400 160 80 40 20 10
满量程输出（V）③ 差分：±4V
输出噪声（差分RMS， g/ ） 5 7 10 25 50 100 200 400
交叉轴影响（%） 偏置温漂(ppm of span)/°C 2～5g 100 （ -55 to +125°C全温范围内）
10～200g 50 （ -55 to +125°C全温范围内 ）
刻度因数温漂（ ppm/°C） 非线性度
(％ FR) 2g ～200g ≤0.5
400g ≤0.8
供电要求
供电电压(VDC)④ ±15
输入电流（mA） 工作环境
使用温度（°C） -55 to +125°C
耐加速度0.1 ms 20000g
重量、体积
重量(g) 体积（mm） 28×28×16 或 35×35×25
更多信息请咨询：13689297509/029-88814883
PA-LAMI系列单轴低噪声加速度传感器由西安精准测控有限责任公司自行研制，差分输出，用于测量单轴向加速度的传感器。它采用高性能低噪声MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测（Self-Test）功能，可实现BIT（Built-In-Test）检测。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
2.原理
PA-LASI系列冲击加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。
3.技术参数
测量范围（g） ±2 ±5 ±10 ±25 ±50 ±100 ±200 ±400
频响（Hz） 400 600 1000 1500 2000 2500 3000 4000
零g偏置电压（V） 0±0.1 ①
灵敏度②（mV／ｇ） 2000 800 400 160 80 40 20 10
满量程输出（V）③ 差分：±4V
输出噪声（差分RMS， g/ ） 5 7 10 25 50 100 200 400
交叉轴影响（%） 偏置温漂(ppm of span)/°C 2～5g 100 （ -55 to +125°C全温范围内）
10～200g 50 （ -55 to +125°C全温范围内 ）
刻度因数温漂（ ppm/°C） 非线性度
(％ FR) 2g ～200g ≤0.5
400g ≤0.8
供电要求
供电电压(VDC)④ ±15
输入电流（mA） 工作环境
使用温度（°C） -55 to +125°C
耐加速度0.1 ms 20000g
重量、体积
重量(g) 体积（mm） 28×28×16 或 35×35×25
更多信息请咨询：13689297509/029-88814883
